重庆键合机微流控应用
EVG ® 501
晶圆键合系统
适用于学术界和工业研究的多功能手动晶圆键合系统
特色
技术数据
EVG501是一种高度灵活的晶圆键合系统，可以处理从单个芯片到150 mm（200 mm键合室为200
mm）的基板尺寸。该工具支持所有常见的晶圆键合工艺，例如阳极，玻璃粉，焊料，共晶，瞬态液相和直接法。易于使用的键合腔室和工具设计允许对不同的晶圆尺寸和工艺进行快速便捷的重新工具化，转换时间不到5分钟。这种多功能性是大学，研发机构或小批量生产的理想选择。EVG大批量制造工具（例如EVG GEMINI）上的键合室设计相同，键合程序易于转移，可轻松扩大生产规模。 EVG键合机键合卡盘承载来自对准器对准的晶圆堆叠，用来执行随后的键合过程。重庆键合机微流控应用
EVG ® 850 SOI的自动化生产键合系统
自动化生产键合系统，适用于多种熔融/分子晶圆键合应用
特色
技术数据
SOI晶片是微电子行业有望生产出更快，性能更高的微电子设备的有希望的新基础材料。晶圆键合技术是SOI晶圆制造工艺的一项关键技术，可在绝缘基板上实现高质量的单晶硅膜。借助EVG850
SOI生产键合系统，SOI键合的所有基本步骤-从清洁和对准到预键合和红外检查-都结合了起来。因此，EVG850确保了高达300 mm尺寸的无空隙SOI晶片的高产量生产工艺。EVG850是唯/一在高通量，高产量环境下运行的生产系统，已被确立为SOI晶圆市场的行业标准。 江西键合机键合精度EVG键合机的键合室配有通用键合盖，可快速排空，快速加热和冷却。
EVG ® 6200 BA自动键合对准系统
用于晶圆间对准的自动化键合对准系统，用于中等和批量生产
特色
技术数据
EVG键合对准系统提供了**/高的精度，灵活性和易用性，模块化升级功能，并且已经在众多高通量生产环境中进行了认证。EVG键对准器的精度可满足MEMS生产和3D集成应用等新兴领域中**苛刻的对准过程。
特征
适用于EVG所有的200 mm键合系统
支持**/大200 mm晶圆尺寸的双晶圆或三晶圆堆叠的键合对准
手动或电动对中平台，带有自动对中选项
全电动高/分辨率底面显微镜
基于Windows的用户界面
EVG ® 510键合机特征
独特的压力和温度均匀性
兼容EVG机械和光学对准器
灵活的设计和配置，用于研究和试生产
将单芯片形成晶圆
各种工艺（共晶，焊料，TLP，直接键合）
可选的涡轮泵（<1E-5 mbar）
可升级用于阳极键合
开室设计，易于转换和维护
生产兼容
高通量，具有快速加热和泵送规格
通过自动楔形补偿实现高产量
开室设计，可快速转换和维护
200 mm键合系统的**小占地面积：0.8
m 2
程序与EVG的大批量生产键合系统完全兼容
技术数据
**/大接触力
10、20、60 kN
加热器尺寸 150毫米 200毫米
**小基板尺寸 单芯片 100毫米
真空
标准：0.1毫巴
可选：1E-5 mbar
EVG键合机支持全系列晶圆键合工艺，这对于当今和未来的器件制造是至关重要。
EVG ® 301特征
使用1 MHz的超音速喷嘴或区域传感器（可选）进行高/效清洁
单面清洁刷（选件）
用于晶圆清洗的稀释化学品
防止从背面到正面的交叉污染
完全由软件控制的清洁过程
选件
带有红外检查的预键合台
非SEMI标准基材的工具
技术数据
晶圆直径（基板尺寸）：200和100-300毫米
清洁系统
开室，旋转器和清洁臂
腔室：由PP或PFA制成（可选）
清洁介质：去离子水（标准），其他清洁介质（可选）
旋转卡盘：真空卡盘（标准）和边缘处理卡盘（选件），由不含金属离子的清洁材料制成
旋转：**/高3000 rpm（5秒内）
超音速喷嘴
频率：1 MHz（3 MHz选件）
输出功率：30-60 W
去离子水流量：**/高1.5升/分钟
有效清洁区域：Ø4.0 mm
材质：聚四氟乙烯 EVG键合机使用直接（实时）或间接对准方法，能够支持大量不同的对准技术。上海键合机微流控应用
EVG键合机也可以通过添加电源来执行阳极键合。对于UV固化的黏合剂，可选的键合室盖里具有UV源。重庆键合机微流控应用
EVG ® 850 TB
自动化临时键合系统
全自动将临时晶圆晶圆键合到刚性载体上
特色
技术数据
全自动的临时键合系统可在一个自动化工具中实现整个临时键合过程-从临时键合剂的施加，烘焙，将设备晶圆与载体晶圆的对准和键合开始。与所有EVG的全自动工具一样，设备布局是模块化的，这意味着可以根据特定过程对吞吐量进行优化。可选的在线计量模块允许通过反馈回路进行全过程监控和参数优化。
由于EVG的开放平台，因此可以使用不同类型的临时键合粘合剂，例如旋涂热塑性塑料，热固性材料或胶带。 重庆键合机微流控应用
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