重庆SUSS键合机
EVG ® 850 TB 临时键合机特征
开放式胶粘剂平台
各种载体（硅，玻璃，蓝宝石等）
适用于不同基板尺寸的桥接工具功能
提供多种装载端口选项和组合
程序控制系统
实时监控和记录所有相关过程参数
完全集成的SECS / GEM接口
可选的集成在线计量模块，用于自动反馈回路
技术数据
晶圆直径（基板尺寸）
**长300毫米，可能有超大的托架
不同的基材/载体组合
组态
外套模块
带有多个热板的烘烤模块
通过光学或机械对准来对准模块
键合模块
选件
在线计量
ID阅读
高形貌的晶圆处理
翘曲的晶圆处理 EVG键合机的特征有：压力高达100 kN、基底高达200mm、温度高达550°C、真空气压低至1·10-6 mbar。重庆SUSS键合机
EVG ® 850 DB 自动解键合机系统
全自动解键合，清洁和卸载薄晶圆
特色
技术数据
在全自动解键合机中，经过处理的临时键合晶圆叠层被分离和清洗，而易碎的设备晶圆始终在整个工具中得到支撑。支持的剥离方法包括UV激光，热剥离和机械剥离。使用所有解键合方法，都可以通过薄膜框架安装或薄晶圆处理器来支撑设备晶圆。
特征
在有形和无形的情况下，都能可靠地处理变薄的，弯曲和翘曲的晶片
自动清洗解键合晶圆
程序控制系统
实时监控和记录所有相关过程参数
自动化工具中完全集成的SECS / GEM界面
适用于不同基板尺寸的桥接工具功能
模块化的工具布局→根据特定工艺优化了产量
技术数据
晶圆直径（基板尺寸）
高达300毫米
高达12英寸的薄膜面积
组态
解键合模块
清洁模块
薄膜裱框机
选件
ID阅读
多种输出格式
高形貌的晶圆处理
翘曲的晶圆处理 重庆美元价格键合机EVG所有键合机系统都可以通过远程通信的。
EVG ® 850 LT SOI和直接晶圆键合的自动化生产键合系统
用途：自动化生产键合系统，适用于多种熔融/分子晶圆键合应用
特色
技术数据
晶圆键合是SOI晶圆制造工艺以及晶圆级3D集成的一项关键技术。借助用于机械对准SOI的EVG850 LT自动化生产键合系统以及具有LowTemp™等离子活化的直接晶圆键合，熔融了熔融的所有基本步骤-从清洁，等离子活化和对准到预键合和IR检查-。因此，经过实践检验的行业标准EVG850
LT确保了高达300 mm尺寸的无空隙SOI晶片的高通量，高产量生产工艺。
EVG ® 301技术数据
晶圆直径（基板尺寸）：200和100-300毫米
清洁系统
开室，旋转器和清洁臂
腔室：由PP或PFA制成（可选）
清洁介质：去离子水（标准），其他清洁介质（可选）
旋转卡盘：真空卡盘（标准）和边缘处理卡盘（选件），由不含金属离子的清洁材料制成
旋转：**/高3000 rpm（5秒内）
超音速喷嘴
频率：1 MHz（3 MHz选件）
输出功率：30-60 W
去离子水流量：**/高1.5升/分钟
有效清洁区域：Ø4.0 mm
材质：聚四氟乙烯
兆声区域传感器
频率：1 MHz（3 MHz选件）
输出功率：**/大 2.5 W /cm²有效面积（**/大输出200 W）
去离子水流量：**/高1.5升/分钟
有效的清洁区域：三角形，确保每次旋转时整个晶片的辐射均匀性
材质：不锈钢和蓝宝石
刷子
材质：PVA
可编程参数：刷子和晶圆速度（rpm）
可调参数（刷压缩，介质分配）
晶圆键合机系统 EVG®520 IS，拥有EVG®501和EVG®510键合机的所有功能；200 mm的单个或双腔自动化系统。
EVG ® 6200 BA自动键合对准系统
用于晶圆间对准的自动化键合对准系统，用于中等和批量生产
特色
技术数据
EVG键合对准系统提供了**/高的精度，灵活性和易用性，模块化升级功能，并且已经在众多高通量生产环境中进行了认证。EVG键对准器的精度可满足MEMS生产和3D集成应用等新兴领域中**苛刻的对准过程。
特征
适用于EVG所有的200 mm键合系统
支持**/大200 mm晶圆尺寸的双晶圆或三晶圆堆叠的键合对准
手动或电动对中平台，带有自动对中选项
全电动高/分辨率底面显微镜
基于Windows的用户界面 除了支持3D互连和MEMS制造，晶圆级和先进封装外，EVG的EVG500系晶圆键合机还可用于研发，中试和批量生产。EVG540键合机有谁在用
EVG键合机晶圆键合类型有：阳极键合、瞬间液相键合、共熔键合、黏合剂键合、热压键合。重庆SUSS键合机
根据型号和加热器尺寸，EVG500系列键合机可以用于碎片和50 mm至300 mm的晶圆。这些工具的灵活性非常适合中等批量生产、研发，并且可以通过简单的方法进行大批量生产，因为键合程序可以转移到EVG GEMINI大批量生产系统中。
键合室配有通用键合盖，可快速排空，快速加热和冷却。通过控制温度，压力，时间和气体，允许进行大多数键合过程。也可以通过添加电源来执行阳极键合。对于UV固化黏合剂，可选的键合室盖具有UV源。键合可在真空或受控气体条件下进行。顶部和底部晶片的**温度控制补偿了不同的热膨胀系数，从而实现无应力黏合和出色的温度均匀性。在不需要重新配置硬件的情况下，可以在真空下执行SOI / SDB（硅的直接键合）预键合。 重庆SUSS键合机
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