重庆低功耗18V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片库存
18V低功耗DCDC降压芯片,主要特点•宽输入电压范围:4.5Vto17V•输出电压范围:0.768Vto7V•支持2A持续输出电流•电感电流连续模式下600kHz的开关频率•内部集成低导通电阻的MOSFET开关管•低静态工作电流:190μA(无开关动作,典型值)•低关断电流:2.5μA(典型值)•采用恒定导通时间控制实现超快速的动态响应•两种轻载工作模式:•KP522201A:脉冲频率调制模式(PFM)•KP522208A:强制脉宽调制模式(FPWM)•高参考电压精度:0.768V±1.5%@25℃•集成完善的保护功能:•精确的使能控制和可调欠压锁定功能•内部1ms软启动时间,避免过冲电压和电流•逐周期谷底限流保护(OCL)•非闭锁的输入欠压保护(UVLO)、输出欠压保护(UVP)、输出过压保护(OVP)和过温保护(OTP)•紧凑的解决方案尺寸:•支持使用MLCC陶瓷电容,且支持低输出电容数量•无需外部补偿•小封装类型:SOT23-6芯片采用了多模式 PWM 控 制技术,有效简化了外围电路设计。重庆低功耗18V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片库存
我们芯片采用高压集成工艺,内部集成有500V高压MOSFET,适用于小家电和辅助电源应用场合所需的离线式降压电路和升降压电路,也可用于线性电源的替代型电源。芯片采用开关式峰值电流模式控制,默认5V高精度输出时很大程度降低了系统成本。此外,芯片经过内部优化,可兼容**压输入(15Vdc以上)应用。IC芯片的静态工作电流典型值为150uA。如此低的工作电流降低了对于VDD电容大小的要求,同时也可以帮助系统降低成本。通常条件下建议使用0.1-1uF瓷片电容。重庆低功耗18V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片库存芯片供电管脚,用于能量存储,串接一电容到地后将输入能 量传递至LDO 输出级。
高性能、低成本离线式PWM控制功率开关KP3112是一款高性能低成本PWM控制功率开关,适用于离线式小功率降压型应用场合,外围电路简单、器件个数少。同时产品内置高耐压MOSFET可提高系统浪涌耐受能力。与传统的PWM控制器不同,KP3112内部无固定时钟驱动MOSFET,系统开关频率随负载变化可实现自动调节。同时芯片采用了多模式PWM控制技术,有效简化了外围电路设计,提升线性调整率和负载调整率并消除系统工作中的可闻噪音。此外,芯片内部峰值电流检测阈值可跟随实际负载情况自动调节,可以有效降低空载情况下的待机功耗。KP3112集成有完备的带自恢复功能的保护功能:VDD欠压保护、逐周期电流限制、输出过压保护、过热保护、过载保护等。主要特点•集成700V高压MOSFET和高压启动电路•多模式控制、无异音工作•支持降压和升降压拓扑•支持**压输入(>20V)•空载功耗低于100mW•支持比较高30kHz开关频率•良好的线性调整率和负载调整率•集成软启动电路•内部保护功能:•过载保护(OLP)•逐周期电流限制(OCP)•输出过压保护(OVP)•过温保护(OTP)•封装类型SOT23-5
主要特点•固定12V输出•集成650V高压MOSFET和高压启动电路•多模式控制、无异音工作•支持降压和升降压拓扑•良好的线性调整率和负载调整率•集成软启动电路•内部保护功能:•过载保护(OLP)•逐周期电流限制(OCP)•输出过压保护(OVP)•VDD过压、欠压和电压箝位保护•封装类型SOP-8/DIP-7典型应用•小家电电源•工业控制同时芯片采用了多模式 PWM 控制技术,有效简化了外围电路设计,提升线性调整率和负载调整率并消除系统工作中的可闻噪音。此外,芯片内部峰值电流检测阈值可跟随实际负载情况自动调节,可以有效降低空载情况下的待机功耗。AC 同步检测及主动泄放电路。
互勤科技是一家专注于为中国电子企业提供集成电路及相关电子元器件,并集方案设计、技术支持、销售服务为一体的***销售型企业。公司总部设在深圳,在上海、杭州、苏州、长沙、青岛和西安等地设有分公司和办事处,并设有技术研发中心和各分公司区域的技术支持部门。公司以“先进的技术,满意的质量,优异的业绩,锐意的创新”为经营方针,不断发展,不断完善,为国内广大电子厂家提供高质量的产品和服务。尤其在电子式电能表领域,更具有超前的开发水平、专业的技术服务经验。通过多年不懈的努力,公司赢得了广大客户的信任和大力支持,并与众多**的电子产品厂家结成合作伙伴。在稳态工作时,芯片通过反馈二极管由输 出进行供电,同时借助高压启动电路,系统待机功 耗可以低至 50mW 以下。安徽低功耗40V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片代理
为了降低系统损 耗,随着负载的降低芯片会自动降低峰值电流 基准以满足**待机的要求。重庆低功耗18V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片库存
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