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    在氧化硅薄膜上面再淀积一层氮化硅薄膜或者聚酰亚胺薄膜，可以平衡氧化硅内部应力。使氧化硅薄膜结构更加稳定。步骤s：在所述氧化硅薄膜上形成测温单元，所述测温单元用于感测环境温度。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司经营范围包括：一般经营项目是：电子产品及其配件的技术开发与销售；国内贸易等。本公司主营推广销售AD（亚德诺）,LINEAR（凌特）以及TI、MAXIM、NXP等国际有名品牌集成电路。产品广泛应用于：汽车、通信、消费电子、工业控制、医疗器械、仪器仪表、安防监控等领域。在温度传感器基作完成后，需要做基底上形成测温单元，测温单元是温度传感器的工作单元，温度传感器通过该测温单元感知温度后形成电信号并输出。在一实施例中，测温单元为一热电阻传感结构，其具体形成过程为：步骤s：在氧化硅薄膜上淀积一层金属层，金属层为金属铂层，金属铂层呈连续弓字形结构。参考图所示，在氧化硅薄膜上淀积一层金属层，该金属层可为金属铂层，即热电阻传感结构选用铂热电阻。在另一实施例中，也可选用其他电阻温度系数较高的材料如镍、铁等。为减小温度传感器的尺寸，在小尺寸的基底上增大铂热电阻的接触面积，将铂热电阻做成连续弓字形结构。好的的进口温度传感器哪家好？认准深圳市美信美科技。重庆计算机温度传感器厂家

    本文所使用的所有的技术和科学术语与属于的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。本申请提供一种温度传感器的制备方法，如图所示，其步骤包括：步骤s：在硅片上形成若干沟槽。结合图a所示，获取一硅晶片，从硅片上方垂直向下开设若干并列的沟槽形成沟槽阵列。在一实施例中，先在硅片上形成具有阵列图案的光刻胶层，再以光刻胶作为掩膜版对硅片进行刻蚀形成若干沟槽。在本实施例中，刻蚀可为常规的干法刻蚀，具体为深度离子刻蚀。干法刻蚀具有更高的刻蚀精度和更好的各向异性性能，其精度可达亚微米级别，通过干法刻蚀，可以得到形态较好的沟槽，尤其是沟槽尺寸较小时利用干法刻蚀效果更佳。可通过调节掩膜板图案和控制刻蚀参数得到不同形态的沟槽，其中，沟槽的宽度可为～μm，沟槽的深度可为～μm，相邻沟槽之间的间隔可为～μm。沟槽的俯视形貌可以为圆形、方形或其他形状。沟槽的宽度为沟槽侧壁的大距离。如果沟槽为圆形，则沟槽的宽度为其直径，如果沟槽为正方形，则沟槽的宽度为其对角的距离。长春单极型温度传感器报价稳定的温度传感器供应，就找深圳市美信美科技有限公司。

    第三金属层包括位于相邻多晶硅条之间的金属结构，n型多晶硅和p型多晶硅通过金属结构串联，第三金属层还包括位于多晶硅层外侧两端的第二金属结构，用于引出温度传感器的输出端子。如图5和图6所示，氧化硅薄膜23上形成有一层多晶硅层50，该多晶硅层50包括并排且间隔设置的n型多晶硅条51和p型多晶硅条52。n型多晶硅可为在多晶硅内部掺杂ⅴ族元素形成导电类型为n型的多晶硅，且其内部掺杂均匀；p型多晶硅可为在多晶硅内部掺杂ⅲ族元素形成导电类型为p型的多晶硅，且其内部掺杂均匀。n型多晶硅条和p型多晶硅条形状相同，在本方案中，n型多晶硅条和p型多晶硅条为长条型，多晶硅条平行设置，具有相同的间距。在多晶硅层50上淀积有第三金属层60，第三金属层60包括金属结构61和第二金属结构62。金属结构61位于相邻多晶硅条之间，该多晶硅条通过金属结构61连接，金属结构61具体为位于相邻多晶硅条端部位置，所有n型多晶硅条51和p型多晶硅条52通过该金属结构61形成一串联结构，因此，当具有m个多晶硅条时，需要m-1个金属结构61使多晶硅条串联起来。一个n型多晶硅条与一个p型多晶硅条串联形成一个塞贝克(seebeck)结构，在本方案中，是多个塞贝克结构串联形成一个测温单元，因此。

    基底包括硅片和在硅片上形成的氧化硅薄膜，硅片和氧化硅薄膜之间形成有空腔；和测温单元，测温单元形成于所述空腔上方的氧化硅薄膜上，所述测温单元用于感测环境温度。如图c所示，基底包括硅片和氧化硅薄膜，硅片和氧化硅薄膜之间形成有空腔。测温单元是温度传感器的工作单元，温度传感器通过该测温单元感知温度后形成电信号并输出，在本方案中，测温单元形成于氧化硅薄膜上且位于空腔上方。在一实施例中，测温单元为一热电阻传感结构，包括：金属层，金属层为金属铂层，金属铂层呈连续弓字形结构；和第二金属层，位于金属铂层外侧两端，用于引出温度传感器的输出端子。如图和图所示，氧化硅薄膜上淀积有一层金属层，该金属层为金属铂层，即热电阻传感结构选用铂热电阻。在另一实施例中，也可选用其他电阻温度系数较高的材料如镍、铁等。为减小温度传感器的尺寸，在小尺寸的基底上增大铂热电阻的接触面积，铂热电阻呈连续弓字形结构(如图所示)。金属铂层外侧两端淀积有一层第二金属层。该第二金属层可为金属铝层，用于从金属铝处引出该温度传感器的输出端子。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。德州的温度传感器渠道，找什么深圳市美信美科技。

    温度传感器通过该测温单元感知温度后形成电信号并输出。在一实施例中，测温单元为一热电阻传感结构，其具体形成过程为：步骤s：在氧化硅薄膜上淀积一层金属层，金属层为金属铂层，金属铂层呈连续弓字形结构。参考图所示，在氧化硅薄膜上淀积一层金属层，该金属层可为金属铂层，即热电阻传感结构选用铂热电阻。在另一实施例中，也可选用其他电阻温度系数较高的材料如镍、铁等。为减小温度传感器的尺寸，在小尺寸的基底上增大铂热电阻的接触面积，将铂热电阻做成连续弓字形结构(如图所示)。步骤s：在所述金属铂层外侧两端各淀积一层第二金属层，用于引出所述温度传感器的输出端子。继续参见图和图，在金属铂层外侧两端淀积一层第二金属层，该第二金属层可为金属铝层，从金属铝处引出该温度传感器的输出端子，即温度传感器的输出导线与铝层连接以通过铝层与金属铂层连接。上述铂热电阻传感器。利用金属铂在温度变化时自身电阻值也会随着温度改变的特性来测量温度，温度传感器的输出端子与显示仪表连接，显示仪表会显示受温度影响得到的铂电阻对应的温度值。通常。形成测温单元还包括钝化步骤，即，步骤s：在金属层上形成钝化层。深圳美信美温度传感器服务好。徐州中规模温度传感器精度哪家好

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    n型多晶硅可为在多晶硅内部掺杂ⅴ族元素形成导电类型为n型的多晶硅，且其内部掺杂均匀；p型多晶硅可为在多晶硅内部掺杂ⅲ族元素形成导电类型为p型的多晶硅，且其内部掺杂均匀。n型多晶硅条和p型多晶硅条形状相同，在本方案中，n型多晶硅条和p型多晶硅条为长条型，多晶硅条平行设置，具有相同的间距。在多晶硅层上淀积有第三金属层，第三金属层包括金属结构和第二金属结构。金属结构位于相邻多晶硅条之间，该多晶硅条通过金属结构连接，金属结构具体为位于相邻多晶硅条端部位置，所有n型多晶硅条和p型多晶硅条通过该金属结构形成一串联结构，因此，当具有m个多晶硅条时，需要m-个金属结构使多晶硅条串联起来。一个n型多晶硅条与一个p型多晶硅条串联形成一个塞贝克(seebeck)结构，在本方案中，是多个塞贝克结构串联形成一个测温单元，因此。m需为偶数。第二金属结构淀积于多晶硅层外侧的两端，以便于引出温度传感器的输出端子。在本实施例中，第三金属层为金属铝层。上述热电偶传感结构，利用两不同类型的半导体两端的温度不同时，会在半导体内部产生温差电动势，不同类型的半导体其温差电动势不同。将两种半导体两端连接形成闭合回路时，在回路中有电流产生。重庆计算机温度传感器厂家