重庆硅抛光液用途

时间:2020年11月09日 来源:

氧化铝抛光液的酸碱度就是抛光液的pH值,当抛光液的pH值为9.6时,抛光液的机械作用远大于化学作用,去除速率比较大,导致抛光后抛光片表面产生高损伤层,粗糙度比较大。

当抛光液的pH值增大为10.84~11.34时,机械作用和化学作用达到一种对等状态时,此时化学作用的均匀性好,使得表面张力小,质量处理的一致性好,可以得到良好的表面抛光效果。

当pH值大于11.67时,SiO2水溶胶在强碱的作用下,生成易溶于水的硅酸氨,使得硅溶胶中的SiO2颗粒不能起到磨削作用,变成透明的液体,此时机械作用基本失效,抛光以化学作用为主,表面蚀坑增多,使得表面粗糙度重新增加。 氧化铝抛光液是以超细氧化铝为磨料的抛光液,主要成分是微米或亚微米级的磨料。重庆硅抛光液用途

纳米级抛光液制备方法:本发明属于研磨料技术领域,由纳米级金刚石粉、非离子型分散稳定剂、抗静电剂、净洗剂、和C9以下轻质白油或石脑油组成,其制备方法为将纳米金刚石机械研磨成粉体,烘干;加入分散稳定剂,加热混合使粉体润湿;加入白油或石脑油,抗静电剂,净洗剂,以及适量pH值调节剂,并不断搅拌,将混合物分散成悬浮液。本发明将产品的表面抛光质量提高到亚纳米量级,以适应于计算机磁头、光学器件和陶瓷等高精度表面研磨和抛光之用。上海国产抛光液价格查询氧化铈抛光液是以微米或亚微米级CeO2为磨料,具有分散性好、粒度细、粒度分布均匀、硬度适中等特点。

氧化铝抛光液

产品描述:  

该产品采用硅改性刚玉为主要原料,在严格控制粒径、改善粒子表面特性和利用化学增强抛光原理的基础上所开发的适合合金基材稳定抛光的一款新产品;该产品悬浮体系稳定,被抛光工件表面稳定,粗糙度低,进而***提升产品表面质量,降低总体生产成本。与传统抛光粉相比,抛光液使用简便、抛光表面易清洗、无抛光设备腐蚀、在抛光机以及抛光垫上无沉积,广泛应用于各类不锈钢、铝合金基材的抛光。   

产品特点:  

l 颗粒分散均匀,不团聚,有效避免抛光过程中由于颗粒团聚导致的工件表面划伤缺点;

l 颗粒粒径分布适中,很大程度提升抛光速率的同时降低微划伤的概率,可以提高抛光精度,

l 运用抛光过程中的化学新作用,提高抛光速度,改善抛光表面的质量;

l 低VOC配方,使用过程避免粉尘产生,关注环保和人体健康安全

    抛光液锗抛光液集成电路多次铜布线抛光液集成电路阻挡层抛光液应用,在加工过程中需要对其进行减薄和抛光。蓝宝石的硬度极高,普通磨料难以对其进行加工。在用金刚石研磨液对蓝宝石衬底表面进行减薄和粗磨后,表面不可避免的有一些或大或小的划痕。CMP抛光液利用"软磨硬"的原理很好的实现了蓝宝石表面的精密抛光。随着LED行业的快速发展,聚晶金刚石研磨液及二氧化硅溶胶抛光液的需求也与日俱增。2.半导体行业CMP技术还***的应用于集成电路(IC)和超大规模集成电路中(ULSI)对基体材料硅晶片的抛光。随着半导体工业的急速发展,对抛光技术提出了新的要求,传统的抛光技术(如:基于淀积技术的选择淀积、溅射等)虽然也可以提供"光滑"的表面,但却都是局部平面化技术,不能做到全局平面化,而化学机械抛光技术解决了这个问题,它是目前***的可以在整个硅圆晶片上***平坦化的工艺技术。多晶金刚石 抛光液适用于光学晶体、陶瓷、超硬合金等各种硬质材料的研磨和 抛光。

硫系化合物相变材料化学机械抛光的纳米抛光液及其应用:一种用于硫系化合物相变薄膜材料GexSbyTe(1-x-y)化学机械抛光(CMP)的纳米抛光液及该化学机械抛光液在制备纳电子器件相变存储器中的应用。该CMP纳米抛光液包含有氧化剂、螯合剂、pH调节剂、纳米研磨料、抗蚀剂、表面活性剂及溶剂等。该抛光液损伤少、易清洗、不腐蚀设备、不污染环境,主要用于制造相变存储器关键材料GexSbyTe(1-x-y)的CMP。利用上述抛光液采用化学机械抛光方法去除多余的相变薄膜材料GexSbyTe(1-x-y)制备纳电子器件相变存储器,方法简单易行。碳化硅抛光液主要用于高精密光学仪器、硬盘基板、磁头、陶瓷、光纤连接器等方面的研磨和抛光。上海国产抛光液价格查询

氧化硅抛光液用于多种材料纳米级的高平坦化抛光。重庆硅抛光液用途

蓝宝石研磨液利用聚晶金刚石的特性,在研磨抛光过程中保持高切削效率的同时不易对工件产生划伤。可以应用在蓝宝石衬底的研磨和减薄、光学晶体、硬质玻璃和晶体、超硬陶瓷和合金、磁头、硬盘、芯片等领域的研磨和抛光。

蓝宝石研磨液在蓝宝石衬底方面的应用:

1. 外延片生产前衬底的双面研磨:多用蓝宝石研磨液研磨一道或多道,根据**终蓝宝石衬底研磨要求用6um、3um、1um不等。

2. LED芯片背面减薄

为解决蓝宝石的散热问题,需要将蓝宝石衬底的厚度减薄,从450nm左右减至100nm左右。主要有两步:先在横向减薄机上,用50-70um的砂轮研磨磨去300um左右的厚度;再用抛光机(秀和、NTS、WEC等)针对不同的研磨盘(锡/铜盘),采用合适的蓝宝石研磨液(水/油性)对芯片背面抛光,从150nm减至100nm左右。


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