重庆一氧化氮标准气体
分子量当标准气体的组分气和稀释气分子量相差太大时,如H2、He和CO2、Ar组成的标准气体,静置时间长了容易分层,这势必影响其稳定性,并且其含量越高,影响越大。因此,在使用这类标准气体时,必须先把钢瓶进行旋转或放倒在地上滚动,使瓶内气体混合均匀。否则,其量值不准,影响标准气体的稳定性。使用条件环境条件与标准气体的稳定性也有很大关系,温度、湿度要适宜,象一些液化类气体,必须在室温以上使用;在使用标准气体时,对系统的要求很高,丝毫不能泄漏。因此,用户要严格按照《标准物质证书》上的要求使用,才能保证标准气体的量值准确,稳定性可靠。使用周期标准气体的使用有效期是根据稳定性实验结果来加以确定的,一般把能够保证标准值的有效期定为半年至一年。由于当标准气体的压力减小时,被吸附在容器内壁上的各种成分气体便解吸,其浓度值发生变化,因此一般规定,高压钢瓶标准气体的残压低于MPa时,应停止使用。结果讨论标准气体稳定性实验结果表明,只要在配制过程中,注意容器的选择及预处理,用户按标准物质规定的要求使用,标准气体在有效期内是稳定的。用户可放心使用。重庆丙烷标准气体源头厂家推荐四川侨源气体股份有限公司。重庆一氧化氮标准气体
配气准度要求以配气允差和分析允差来表征;比较通用的有SE2MI配气允差标准,但各公司均有企业标准。组分的**低浓度为10-6级,组分数可多达20余种。配制方法可采用重量法,然后用色谱分析校核,也可按标准传递程序进行传递。3、电子气体(Electronicgases)：半导体工业用的气体统称电子气体。按其门类可分为纯气、高纯4_6m+p-_4气和半导体特殊材料气体三大类。特殊材料气体主要用于外延、掺杂和蚀刻工艺；高纯气体主要用作稀释气和运载气。电子气体是特种气体的一个重要分支。电子气体按纯度等级和使用场合，可分为电子级、LSI(大规模集成电路)级、VLSI(超大规模集成电路)级和ULSI(特大规模集成电路)级。4.外延气体(Cpita***algases)：在仔细选择的衬底上采用化学气相淀积(CVD)的方法生长一层或多层材料所用气体称为外延气体。硅外延气体有4种,即硅烷、二氯二氢硅、三氯氢硅和四氯化硅,主要用于外延硅淀积,多晶硅淀积,淀积氧化硅膜,淀积氮化硅膜,太阳电池和其他光感受器的非晶硅膜淀积。外延生长是一种单晶材料淀积并生长在衬底表面上的过程。此外延层的电阻率往往与衬底不同。5.蚀刻气体(Etchinggases)：蚀刻就是把基片上无光刻胶掩蔽的加工表面如氧化硅膜、金属膜等蚀刻掉。标准气体价格医用气体源头厂家推荐四川侨源气体股份有限公司。
标准气体静态配气静态配气[4]是把一定量的液体或原料气加到已知容积的稀释气体的容器中,混合均匀。根据所加入的液体或原料气的量和容器的容积,即可计算出所配制标准气体的浓度。常用的静态配气技术有以下几种。1.大瓶子配气法将大容积的玻璃瓶或聚乙烯塑料瓶洗净、烘干,充入干净空气代替瓶中原有气体后,抽成负压,再充入一定量的液体或原料气。若原料在常温下是气体,用气体定量管加入(见图1),充入干净空气至常压。若原料是挥发性液体,可在一个小安培瓶中称取一定量的液体,放入大瓶中,抽气使成负压,再摇碎安瓶,待液体挥发后,再充入干净空气到常压。大瓶子配气法所制得的标准气体的浓度,可根据加入原料气的浓度或液体的量及大瓶子的容积求得:当加入瓶中的是原料气时,按下式计算:740)">式中:V1:原料气的体积(mL);L:原料气的浓度(ppm);V0:大瓶子的容积(L);Z:所配气体的浓度(ppm);当加入瓶中的是挥发性的液体时:740)">式中:t:气体的温度(℃);m:加入液体的量(g);M:液体的摩尔质量(gömol);Z和V0同上式。740)">用大瓶子配气时,由于器壁的吸附作用,配成的标准气体的实际浓度往往比计算值低。为避免这种影响,可以将***次配好的气体放置一段时间后抽掉,再进行第二次配气。
CVD)的方法生长一层或多层材料所用气体称为外延气体。硅外延气体有4种,即硅烷、二氯二氢硅、三氯氢硅和四氯化硅,主要用于外延硅淀积,多晶硅淀积,淀积氧化硅膜,淀积氮化硅膜,太阳电池和其他光感受器的非晶硅膜淀积。外延生长是一种单晶材料淀积并生长在衬底表面上的过程。此外延层的电阻率往往与衬底不同。5.蚀刻气体(Etchinggases)：蚀刻就是把基片上无光刻胶掩蔽的加工表面如氧化硅膜、金属膜等蚀刻掉,而使有光刻胶掩蔽的区域保存下来,这样便在基片表面得到所需要的成像图形。蚀刻的基本要求是,图形边缘整齐,线条清晰,图形变换差小,且对光刻胶膜及其掩蔽保护的表面无损伤和钻蚀。蚀刻方式有湿法化学蚀刻和干法化学蚀刻。干法蚀刻所用气体称蚀刻气体,通常多为氟化物气体,例如四氟化碳、三氟化氮、六氟乙烷、全氟丙烷、三氟甲烷等。干法蚀刻由于蚀刻方向性强、工艺控制精确、方便、无脱胶现象、无基片损伤和沾污,所以其应用范围日益***。6.掺杂气体(DopantGases)：在半导体器件和集成电路制造中,将某种或某些杂质掺入半导体材料内,以使材料具有所需要的导电类型和一定的电阻率,用来制造PN结、电阻、埋层等。掺杂工艺所用的气体掺杂源被称为掺杂气体。丙烷标准气体源头厂家推荐四川侨源气体股份有限公司。
GB16163-1996)中，根据工业纯气在气瓶内的物理状态和临界温度进行分类，并按其化学性能，燃烧性、毒性、腐蚀性进行分组。第1类为长久气体，其临界温度〈-10℃，在充装时以及在允许的工作温度下储运和使用过程中均为气态，分为a、b两组：a组为不燃无毒和不燃**气体(包括氧、氮、氩等)，b组为可燃无毒和可燃**气体(包括氢等)。第2类为液化气体，其临界温度≥-10℃，包括高压液化气体和低压液化气体。其中，高压液化气体临界温度≥-10℃、且≤70℃，在充装时为液态，但在允许的工作温度下储运和使用过程中随着温度升高至临界温度时即蒸发为气态，分为a、b、c三组：a组为不燃无毒和不燃**气体(包括二氧化碳)；b组为可燃无毒和自燃**气体；c组为易分解或聚合的可燃气体。低压液化气体临界温度〉70℃，在充装时以及在允许的工作温度下储运和使用过程中均为液态，也分为a、b、c三组：a组为不燃无毒和不燃**及酸性腐蚀气体(包括氯)；b组为可燃无毒和可燃**及碱性腐蚀气体(包括氨)；c组为易分解或聚合的可燃气体。第3类为溶解乙炔。在压力下溶解于气瓶内溶剂的气体，*有a组：易分解或聚合的可燃气体(包括乙炔)。此分类是混合气配制的基础。工业混合气是近二十年来出现的新品种。重庆工业气体源头厂家推荐四川侨源气体股份有限公司。重庆一氧化氮标准气体
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实验室之间的比对、**比对应由牵头实验室与二、三个提名比对实验室与二、三个提名比对实验室拟定详细的比对技术方案。比对的技术方案应包括：1、样品的详细描述；2、运输过程的注意事项；3、比对实验室在接收样品时应采取的措施；4、比对开始前应进行的检验，如压力等；5、比对分析时使用标准的条件；6、比对结果的说明；7、如何估处不确定度；8、参加比对的每个标准对SI单的溯源性；9、比对结果与牵头实验室沟通的时间表；10、比对经费；11、比对结果的报告格式。标准气体比对结果编辑参加比对的实验室必须尽可能快地向牵头实验室报告比对结果，**迟在比对测量完成后六个星期将测量结果、不确定度以及所需信息，以技术方案中给出的比对结果的报告格式交给牵头单位。标准气体注意事项编辑1、可燃气体的限从安全的角度出发，在制备标准气体之前，必须对标准气体混合的可行性进行研究。特别要考虑各组分气体的极限，在制备由可燃气体和氢气（或氧气）组成的标准气体时，要注意组分气体含量是否超过限的问题。否则在制备过程中，可能发生**。限是可燃性气体的重要技术数据。在配制含有可燃气体组分的标准气体前，必须了解该组分的限。重庆一氧化氮标准气体
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